买卖IC网 >> 产品目录 >> NE3210S01 射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE3210S01

库存数量：93
制造商：CEL
描述：射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
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制造商 CEL
技术类型 pHEMT
频率 12 GHz
增益 13.5 dB
噪声系数 0.35 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） 55 mS
漏源电压 VDS 4 V
闸/源击穿电压 - 3 V
漏极连续电流 70 mA
最大工作温度 + 125 C
功率耗散 165 mW
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SO-1
相关资料
属性
链接
代理商 NE3210S01
NE3210S01-A
NE3210S01-T1
NE3210S01-T1B
NE3210S01-T1B-A
NE32484C-SL
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公司名
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深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
  • NE3210S01 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 11.386 11.386
    10 9.494 94.94
    100 8.542 854.2
    500 7.59 3795
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